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MXD3100ZF-3P
Caractéristiques
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1. Isolation photoélectrique, résistance à haute tension, longue durée de vie, forte anti-interférence et haute fiabilité?;
2. Il est composé d'une connexion anti-parallèle contr?lée par silicium unidirectionnel et présente une tolérance élevée dv/dt et di/dt?;
3. Technologie de soudage sous vide + protection contre l'hydrogène, dimensions d'installation des composants intégrés standard?;
4. Le signal d'entrée est compatible avec les circuits logiques numériques TT0 et COMS.
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Signification du modèle
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MXD3100ZF-3P | Signification du modèle |
MX | Logo d'entreprise?: MX?: Mingxin |
D | Mode de contr?le d'entrée : D : DC 4-32VDC A : AC 80-250VAC |
3 | Tension de charge de sortie?: 3?:?30-480VAC |
100 | Valeur du courant nominal de sortie?: 60A 80A 100A 120A 150A 200A 250A 300A 400A 500A 600A 1000A |
ZF | Catégorie?:?ZF?: qualité industrielle |
3P | 3P?: signifie trois phases |
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Paramètres techniques
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travail Industrie classe solide état moule Groupe | Spécifications du modèle | MXD360ZF-3P, MXD380ZF-3P, MXD3100ZF-3P, MXD3120ZF-3P |
Courant de charge | 60A, 80A, 100A, 120A | |
tension de charge | 380 VCA, 480 VCA, 660 VCA | |
tension de commande | 90-250VAC ou 12-32VDC | |
courant de commande | AC≤45mA ou DC5-15mA | |
Courant de fuite à l'état passant | ≤10mA | |
Réduction de tension à l'état passant | ≤2V | |
Heure d'arrêt | ≤10mS | |
Résistance moyenne à la pression | 2500 VCA | |
Résistance d'isolation | 1?000 MΩ/500 V CC | |
température ambiante | -30 ℃-+75 ℃ | |
Méthode d'installation | boulonné | |
instructions de travail | DIRIGé | |
poids | 3,15 kg |
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Dimensions hors tout
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Précautions de sécurité
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1. Lorsque le courant de charge est supérieur à 5A, un radiateur doit être utilisé ou installé sur une plaque de base métallique avec un effet de dissipation thermique correspondant, et de la graisse silicone thermique est appliquée entre la plaque de base de dissipation thermique du relais à semi-conducteurs et la surface de montage ci-dessus. 40A, un ventilateur est utilisé pour le refroidissement forcé ou le refroidissement par eau.
2. Lorsqu'il est utilisé avec des charges inductives, des tensions transitoires élevées et des courants de surtension sont appliqués à l'extrémité de sortie, ce qui peut induire en erreur ou endommager le relais à semi-conducteurs. Il est généralement nécessaire de connecter un dispositif de contr?le de tension avec une tension de serrage spécifique. à l'extrémité de sortie, comme un relais bidirectionnel ou une varistance (MOV). Il est recommandé que la varistance soit 1,6 à 1,9 fois la tension nominale.
3. Lors du contr?le d'une charge de courant de charge plus petite proche du courant de charge minimum, une résistance de charge virtuelle doit être connectée en parallèle à la charge pour réduire le courant de fuite de sortie et produire une tension résiduelle plus élevée sur la charge.
4. Afin d'éviter que l'augmentation de la température des relais à semi-conducteurs ne dépasse la valeur admissible, l'effet de dissipation thermique et l'emplacement d'installation doivent être pris en compte lors de la conception et de l'application lorsque deux relais à semi-conducteurs ou plus sont installés c?te à c?te, de manière appropriée. l'espacement doit être laissé.
5. Les bornes de sortie de plusieurs relais statiques ne doivent pas être utilisées en parallèle pour tenter d'augmenter le courant de sortie. Cependant, les bornes de sortie peuvent être utilisées en série pour s'adapter à des tensions de fonctionnement plus élevées.
6. Lorsque vous utilisez plusieurs relais statiques pour partager une alimentation de contr?le, les bornes d'entrée peuvent être utilisées en série ou en parallèle.
7. Veuillez utiliser cette pièce avec prudence pour les charges capacitives. Veuillez choisir un relais statique dédié aux charges capacitives.